导读 美光透露，它已开发出高达232层的3DNAND闪存，将于今年晚些时候进入全面生产阶段。该存储设备被美光描述为世界上最先进的NAND，由两个3DNAN
美光透露，它已开发出高达232层的3DNAND闪存，将于今年晚些时候进入全面生产阶段。该存储设备被美光描述为“世界上最先进的NAND”，由两个3DNAND芯片拼接而成，容量为128GB(1Tb)。
该公司尚未提供其232层设备的性能规格，但暗示速度将超过其当前3DNAND产品的速度，为快速、大容量的新型SSD铺平道路。
NAND闪存是一种非易失性存储器，适用于各种存储设备，从存储卡、U盘和便携式驱动器到用于设备和服务器的SSD。
NAND闪存开发背后的总体思路是降低单位容量成本并提高存储密度，有效消除传统硬盘驱动器的用例。
关于美光对其新型232层3DNAND设备的具体计划，该公司技术执行副总裁ScottDeBoer表示：
“我们围绕制造世界上最快的托管NAND以及数据中心和客户端SSD产品所需的技术优化了技术。”
“内部和外部控制器的组合一直是我们垂直产品集成重点的重要组成部分，以确保我们优化了NAND和控制器技术，以满足我们提供未来领先产品所需的东西。”
美光表示，它已经与行业合作伙伴密切合作，以确保其232层设备得到适当支持，这将加速基于该技术的新驱动器的开发。
由新型3DNAND闪存驱动的SSD预计将在2023年某个时候上市。
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