美光科技(Micron) 宣布首批出货适用于现代智能手机的 UFS 4.0 存储芯片，该芯片可提供快速启动、快速应用程序启动和快速视频处理功能。新芯片基于美光 232 层 3D NAND 内存构建，容量高达 1TB。该制造商还声称其“高度可配置的固件”与技术改进相结合，为旗舰智能手机提供了无与伦比的性能。
美光 UFS 4.0 存储为旗舰智能手机提供业界最快的性能1，包括快速启动、快速视频下载、即时访问用户的照片库以及快速应用程序启动。
美光 UFS 4.0 闪存存储采用先进的 232 层 3D NAND 技术、低功耗控制器定制，容量高达 1TB。我们一流的 UFS 4.0 存储可在旗舰智能手机中实现卓越的最终用户体验。
美光的 UFS 4.0 芯片采用单元 (TLC)，写入带宽提高 100%，读取带宽提高 75%，顺序写入速度高达 4,000MB/s，顺序读取速度高达 4,300MB/s。美光科技拥有全新的六平面 NAND 架构(堆叠更多层的存储单元阵列)，可提高随机读取吞吐量，这是提高整体响应能力和更快加载时间的关键规格。该架构将适用于使用 512GB 和 1TB UFS 4.0 芯片的设备，因为 256GB 配置使用四平面 NAND。
信息图显示美光业界首款 232 层 NAND 内存的改进
然而，这不仅仅与速度有关。新内存有望将能效提高 25%，确保您的智能手机不会因性能提升而更快耗尽电池电量。与 UFS 3.1 存储解决方案相比，客户的应用程序启动速度可提高 15%，启动速度可提高 20%，电源效率可提高 25%。此外，与其他制造商提供的产品(可能是三星于 2022 年推出的 UFS 4.0 芯片)相比，美光的 UFS 4.0 存储的写入延迟提高了 10%。
美光承诺将于 2023 年下半年开始量产新款 UFS 4.0 存储芯片，为智能手机制造商提供三种存储配置：256GB、512GB 和 1TB。除了旗舰手机之外，美光的新型存储还将用于汽车、计算系统和其他需要低功耗内存、高性能和一致可靠性的设备。您可以在制造商的官方网站上了解有关美光全新 UFS 4.0 存储的更多信息。
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