导读 AMD 几个月前宣布了其 3D V-Cache 技术，通过在 Ryzen CPU 之上简单地堆叠更多 L3 缓存(高达 64MB)，展示了令人难以置信的性能提
AMD 几个月前宣布了其 3D V-Cache 技术，通过在 Ryzen CPU 之上简单地堆叠更多 L3 缓存(高达 64MB)，展示了令人难以置信的性能提升。现在，感谢来自 TechInsights 的 Yuzo Fukuzaki，我们有了更多与 3D V-Cache 相关的细节。这包括显示现代 Zen 3 CPU 从一开始就设计用于容纳堆叠 3D 缓存的数据，这告诉我们这项技术已经投入使用多年。
据 Fukuzaki 称，他在标准的 Ryzen 9 5950X 样品上找到了连接点和 3D 堆栈缓存空间。查看下图，您可以看到 Zen 3 芯片边缘的点，可以连接 3D V-Cache。如果要安装另一个 3D 缓存堆栈，这些是铜质连接点。
TechInsights 3D V-Cache 发现
此安装过程使用 TSV(硅通孔)通过混合键合将第二层 SRAM 固定到芯片上。由于 TSV 使用铜而不是焊料，因此与简单地将芯片焊接在一起相比，SRAM 具有更高的带宽和热效率。
根据他们的分析，该公司对 3D V-Cache 连接方式背后的一些细节进行了逆向工程，包括 TSV 间距、CPU 内部用于另一个缓存堆栈的空白空间等等。
TSV工艺位置;M10-M11之间(共15种金属，从M0开始)
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